Numerical model of metal-semiconductor contact

Authors

  • Э.Э. Асанов
  • С.А. Зуев
  • Г.В. Килесса
  • Н.И. Слипченко

Abstract

The theoretical provisions are presented, the numerical model of ohmic contact metal semiconductor and Schottky barrier was constructed on their basis. Method of large particles is used in the model. The current- voltage characteristics are received as a result of the carried-out computing experiments.

References

Килесса, Г.В., Асанов, Э.Э., Зуев, С.А. Предельные частотные характеристики ПТШ на GaAs при заданной геометрии // 21-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телеком. технологии» (КрыМиКо’2011). Материалы конф. – Севастополь : Вебер, 2011. – Т.1. – С.244 -245.

Шалимова, К.В. Физика полупроводников. – М. : Энергоатомиздат, 1985. – 392 с.

Стриха, В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. – К. : Наук. думка, 1974. – 263 с.

Милнс, А., Фойхт, Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. – М. : Мир, 1975. – 432 c.

Бланк, Т.В., Гольдберг, Ю.А. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, № 11. – С. 1281-1308.

Хокни, Р., Иствуд, Д. Численное моделирование методом частиц. - М. : Мир, 1987. - 638 с.

Торхов, Н.А. Эффект баллистического переноса электронов в структурах металл-n-GaAs-n+-GaAs с барьером Шоттки // ФТП. – 2001. – Т.35, Вып.7. – С.823-830.

Родерик, Э.Х. Контакты металл – полупроводник : пер. с англ. / под ред. Г.В. Степанова. – М. : Радио и связь, 1982. – 280 с.

Булярский, С.В., Жуков, А.В. Анализ механизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольт-амперных характеристик барьеров металл-GaAs // ФТП. – 2001. – Т.35, Вып.5. – С.560-563.

Чуприков, Н.Л. Роль пространственной локализации частицы в процессе туннелирования // ФТП. – 1996. – Т.30, Вып.3. – С.443-445.

Zuev, S.A., Starostenko, V.V., Shadrin, A.A. A Calculation Model for Submicron Field-Effect Transistors Based on GaAs // Telecommunications and Radio Engineering, – 2002. – № 58. – P. 90-98.

Downloads

How to Cite

Асанов, Э., Зуев, С., Килесса, Г., & Слипченко, Н. (2012). Numerical model of metal-semiconductor contact. Radiotekhnika, 3(170), 32–40. Retrieved from http://rt.nure.ua/article/view/174947

Issue

No. 170 (2012): Radiotekhnika

Section

Articles

License

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.

2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.

3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).