Analysis of noise components of microwave diode oscillators
DOI:
https://doi.org/10.30837/rt.2025.1.220.15Keywords:
diode oscillators, fluctuation components, experimental research, frequency-modulated noise, amplitude-modulated noiseAbstract
The work deals with theoretical and practical study of fluctuation components of diode oscillators.
The mechanism of formation of fluctuation components of diode oscillators is considered.
An experimental study of fluctuation components of oscillators is carried out. A generator on an avalanche-transit diode was chosen as an example of a diode autogenerator with a fairly high level of its own noise.
According to the results of research into amplitude-modulated and frequency-modulated noise components of an oscillator on an avalanche-flying diode depending on the quality factor of its oscillatory system, the exponential nature of these dependencies, predicted by the results of theoretical analysis, is observed,
The conducted studies indicate the consistency of theoretical conclusions with practical results.
The conclusions of the research can be used in the design of microwave diode generators with specified fluctuation characteristics.
References
Prager H.J., Chang K.K.N, Weisbrod J. A Theoryfor the High-Efficiency Mode of Oscillationin Avalanche Diode // Proc. IBBE, 55, 586, 1967.
Chang K.K.N., RCA Rev, 30, 3. 1969.
T.Misawaю Multiple uniform lagger approximationin analysis of negativ resistance in p-n junction in breakdown // IEEE Tran. ElectronDevices vol. ED-14 1967. pp. 795-808.
T.Misawa. Negative Resistance in p-n JunctionsUnder AvalancheBreakdown Conditions, pts.I and II // IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-13 pp 137-151. Jan. 1966.
М. Бондаренко. Мікроелектроніка НВЧ. Ч. 2. Напівпровідникові елементи та пристрої НВЧ : навч. посіб. для студ. cпец. 153 «Мікро- та наносистемна техніка», 171 «Електроніка». Харків, 2019.
Осадчук О.В. Математичне моделювання генератора НВЧ на основі транзисторної структури з від‘ємним опором / О.В. Осадчук, А.О. Семенов // Вісник Хмельн. нац. ун-ту, 2005.
Super Low Noise InGaAs HEMT MGF431×G. Technical description/ Mitsubishi Semiconductor as of Apr.' 98. P. 1238–1239. 96. Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package // Aqilent Technologies. Innovating the HP Way. 2001. P. 145–147. №4, Ч.1, Т.2. С. 256–259.
Патент на корисну модель 7411 Україна, МКИ Н 03 В 7/00. Генератор з електричним регулюванням частоти генерації / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, А.О. Семенов (Україна). №20041210199; Заявлено 13.12.2004; Опубл. 15.06.2005, Бюл. №6. 2 с.
Яненко О.П. Моделювання нормованих спотворень монохроматичних сигналів НВЧ генераторів / О.П. Яненко, Д.М. Ясінський // Вісник, НТУУ «КПІ». Сер. Радіотехніка радіоапаратобудування.
Лукин К.А., Максимов П.П. Динаміка двочастотних лавино-генераторних діодів мікрохвильового ді-апазону // Радіофізика та електроніка. 2015. Т. 6(20), № 4. С. 54–61.
Коцержинський, Б.О. Фазові шуми малошумлячих транзисторних НВЧ генераторів // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць. 2009. № 39. С. 88–90.
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).