Analysis of noise components of microwave diode oscillators

Authors

DOI:

https://doi.org/10.30837/rt.2025.1.220.15

Keywords:

diode oscillators, fluctuation components, experimental research, frequency-modulated noise, amplitude-modulated noise

Abstract

The work deals with theoretical and practical study of fluctuation components of diode oscillators.

The mechanism of formation of fluctuation components of diode oscillators is considered.

An experimental study of fluctuation components of oscillators is carried out. A generator on an avalanche-transit diode was chosen as an example of a diode autogenerator with a fairly high level of its own noise.

According to the results of research into amplitude-modulated and frequency-modulated noise components of an oscillator on an avalanche-flying diode depending on the quality factor of its oscillatory system, the exponential nature of these dependencies, predicted by the results of theoretical analysis, is observed,

The conducted studies indicate the consistency of theoretical conclusions with practical results.

The conclusions of the research can be used in the design of microwave diode generators with specified fluctuation characteristics.

References

Prager H.J., Chang K.K.N, Weisbrod J. A Theoryfor the High-Efficiency Mode of Oscillationin Avalanche Diode // Proc. IBBE, 55, 586, 1967.

Chang K.K.N., RCA Rev, 30, 3. 1969.

T.Misawaю Multiple uniform lagger approximationin analysis of negativ resistance in p-n junction in breakdown // IEEE Tran. ElectronDevices vol. ED-14 1967. pp. 795-808.

T.Misawa. Negative Resistance in p-n JunctionsUnder AvalancheBreakdown Conditions, pts.I and II // IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-13 pp 137-151. Jan. 1966.

М. Бондаренко. Мікроелектроніка НВЧ. Ч. 2. Напівпровідникові елементи та пристрої НВЧ : навч. посіб. для студ. cпец. 153 «Мікро- та наносистемна техніка», 171 «Електроніка». Харків, 2019.

Осадчук О.В. Математичне моделювання генератора НВЧ на основі транзисторної структури з від‘ємним опором / О.В. Осадчук, А.О. Семенов // Вісник Хмельн. нац. ун-ту, 2005.

Super Low Noise InGaAs HEMT MGF431×G. Technical description/ Mitsubishi Semiconductor as of Apr.' 98. P. 1238–1239. 96. Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Surface Mount Plastic Package // Aqilent Technologies. Innovating the HP Way. 2001. P. 145–147. №4, Ч.1, Т.2. С. 256–259.

Патент на корисну модель 7411 Україна, МКИ Н 03 В 7/00. Генератор з електричним регулюванням частоти генерації / В.С. Осадчук, О.В. Осадчук, А.О. Семенов (Україна). №20041210199; Заявлено 13.12.2004; Опубл. 15.06.2005, Бюл. №6. 2 с.

Яненко О.П. Моделювання нормованих спотворень монохроматичних сигналів НВЧ генераторів / О.П. Яненко, Д.М. Ясінський // Вісник, НТУУ «КПІ». Сер. Радіотехніка радіоапаратобудування.

Лукин К.А., Максимов П.П. Динаміка двочастотних лавино-генераторних діодів мікрохвильового ді-апазону // Радіофізика та електроніка. 2015. Т. 6(20), № 4. С. 54–61.

Коцержинський, Б.О. Фазові шуми малошумлячих транзисторних НВЧ генераторів // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць. 2009. № 39. С. 88–90.

Published

2025-04-10

How to Cite

Meniailo, O., & Grigorieva, O. (2025). Analysis of noise components of microwave diode oscillators. Radiotekhnika, (220), 156–160. https://doi.org/10.30837/rt.2025.1.220.15

Issue

Section

Articles