Приближенный расчет низкочастотного усилительного каскада на транзисторах
Abstract
Зависимость входного сопротивления транзистора от коллекторного тока покоя имеет нелинейный характер. Предлагается аппроксимация этой зависимости в виде гиперболы. Аналитическое выражение для входного сопротивления позволяет упростить расчет одиночного каскада на транзисторе. Своеобразие расчета усиления каскада по напряжению состоит в том, что для маломощных германиевых транзисторов это усиление может быть найдено по очень простым формулам, если будем знать ток покоя коллектора и величину нагрузочного сопротивления. Для расчета многокаскадного усилителя на транзисторах с реостатно-емкостной связью необходимо знать еще и коэффициент усиления по току. Предлагаемый метод позволяет просто и быстро оценить усилительные свойства транзисторных каскадов.Downloads
How to Cite
Issue
Section
License
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).