Применение СВЧ техники для исследования высокоомных слоев аморфного селена
Abstract
Описана методика измерения удельной концентрации кристаллических включений в аморфных слоях и приведены результаты сопоставления фотоэлектрических характеристик слоев аморфного Sе с фотоэлектрическими характеристиками присутствующих в них включений гексагонального Sе.
Удельная концентрация кристаллических включений в слоях аморфного Sе определяется по изменению tqδэфф слоевна частоте 1010 гц.
Фотоэлектрические характеристики присутствующих в них кристаллических включений исследуется с помощью СВЧ техники.
Полученные данные свидетельствуют о том, что с применением техники СВЧ можно получить некоторые дополнительные сведения о механизме темновой и фотопроводимостей в аморфных слоях.Downloads
How to Cite
Issue
Section
License
Authors who publish with this journal agree to the following terms:
1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).
