Ионная имплантация как метод получения полупроводниковых конденсаторов с заданными вольт-фарадными характеристиками

Authors

  • А.К. Гнап
  • В.К. Дущенко
  • Ю.В. Дубровин

Abstract

Показана возможность получения конденсаторов на основе p-n-перехода, емкость которых зависит от приложенных напряжений. С помощью теории Линхарда-Шарфа-Шиотта рассчитаны распределения примеси по глубине легированного слоя. Рассмотрено влияние явления каналирования на свойство получаемых слоев, возможности получения транзисторных и многослойных структур методом ионного легирования. Показаны наиболее рациональные пути управления распределением примеси.

Downloads

How to Cite

Гнап, А., Дущенко, В., & Дубровин, Ю. Ионная имплантация как метод получения полупроводниковых конденсаторов с заданными вольт-фарадными характеристиками. Radiotekhnika, 4(31), 97–103. Retrieved from http://rt.nure.ua/article/view/212875

Issue

No. 31 (1974): Radiotekhnika

Section

Articles

License

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.

2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.

3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).