Calculation of absorption ability of CuIn1−xGaxSe2 based solar cell

Authors

  • A.B. Galat

DOI:

https://doi.org/10.30837/rt.2017.3.190.06

Abstract

The analytical model, taking into account the spectral distribution of the absorption coefficients of active layers, is used to calculate the absorption efficiency of a photointerverter based on CuIn1-xGaxSe2 using CdS as a buffer layer. The regularities of the change in the absorptivity in a wide range of changes in the thickness of layers for the spectrum of 0.3 – 1.4 μm AM 1.5 are established. A refinement of the estimates of the absorption efficiency for structures and analogous ones is proposed.

References

Залесский, В.Б., Когновицкий, С.О., Луценко, Е.В. Халькогениды в солнечной энергетике // Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики : сб. тр. конф., 11–14 ноября 2013 года. – СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2013. – С. 202-203.

Новиков, Г.Ф., Гапанович, М.В. Солнечные преобразователи третьего поколения на основе Cu-In-Ga-(S,Se) // Успехи физ. наук. – 2017. – Т.187. –№2. – С.173–191.

Косяченко, Л.А., Грушко, Е.В., Микитюк, Т.И. Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46. – Вып. 4. – С.482-486.

Галат, А.Б. Поглощательная способность гетероперехода а:Si:H/c-Si солнечного фотопреобразователя // 8-я Междунар. науч. конф. «Функцио-нальная база наноэлектроники» : сб. науч. тр. – Харьков : ХНУРЭ, 2015. – С.139–142.

Luque, A., Hegedus, S. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. – Chichester, West Sussex PO19 8SQ, England : WILEY, 2003. – 1115p.

Гременок, В.Ф., Тиванов, М.С., Залесский, В.Б. Солнечные элемен-ты на основе полупроводниковых материалов // Альтернативная энергетика и экология. – 2009. – № 1 (69). – С .59-124.

Published

2017-10-16

How to Cite

Galat, A. (2017). Calculation of absorption ability of CuIn1−xGaxSe2 based solar cell. Radiotekhnika, 3(190), 44–49. https://doi.org/10.30837/rt.2017.3.190.06

Issue

Section

Articles