Kinetics of photoconductivity of c-Si with amorphous heterogeneities

Authors

  • O. Babychenko
  • A. Pashchenko

DOI:

https://doi.org/10.30837/rt.2017.3.190.05

Abstract

The influence of amorphous inclusions of a cylindrical shape on the photoconductivity of crystalline silicon under the action of radiation from the photosensitivity region of the structure under study was theoretically investigated. The photoconductivity of the structure is analyzed depending on the geometric dimensions of the inclusions, their location in the structure, and the rate of surface recombination of nonequilibrium charge carriers. It is established that when the fraction of inclusions in the structure increases, the processes of generation of nonequilibrium charge carriers are determined mainly by an amorphous matrix. The appearance of the effect of negative photoconductivity under certain conditions has been revealed.

References

Алферов, Ж.И., Андреев, В.М., Румянцев, В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, Вып. 8. –

С. 937-948 http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2004/08/p937-948.pdf //.

Kuznicki, Z.T. Multiinterface Cоlar Cells // First Polish-Ukrainian Symposium "New voltaic Materials for Solar Cells."-E-MRS.-Krakow (Poland). – 1996. – Р. 58-78.

Bennett, H. E., Rather, J.D.G., Montgomery, E. E. IV, Nucl. Instr. and Meth. in Phys., A341 (1994) p. 123.

Chopra, K. L., Das, S. R. Thin film solar cells. – New York, 1983. – Р. 440.

Prospect SIEMENS, Siemens Solar, (2005) Munich, Germany.

F. Lasnier and T. G. Ang, Photovoltaic Engineering Handbook, Adam Hilger Bristol, New York, 1990.

Николаенко, Ю.Е., Вакиев, Н.М., Кру-ковский, С.И., Ерохов, В.Ю., Мельник, И.И, Завербный, И.Р. Состояние и тенденции развития твердо-тельных фотопреобразователей солнечной энергии // Энергетическая микроэлектроника НПП “Ка-рат”. – Львов : НУ “Львовская политехника”. Технология и конструированиев электронной аппарату-ре. – 2001. – № 3. – С. 21-30.

Bratkowski, A., Borowski, P., Bała, W. et al // OptoElectronics Review. – 2005. – V. 13. No. 1. -P.35.

Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Pugachev, G.D., Dyomin, V.S., Dovbnya, N.A., Gordienko, J.E., Borodin, B.G., Babychenko, S.V., Semenets, T.A. The influence of γ-irradiation and 238U fragments on the properties of single-crystal Silicon // Problems of atomic science and technology. Ceries ’’Nuclear Physics Investigations,” Kharkov (Ukraine). – 2006. – № 3(47). – P. 179-181.

Довбня, А.Н., Ефимов, В.П., Пугачев, Г.Д., Демин, В.С., Довбня, Н.А., Гордиенко, Ю.Е., Бородин, Б.Г., Бабыченко, С.В., Семенец, Т.А. Формирование разупорядоченных структур и их преобразование в аморфную фазу в объеме (c-Si)-полупроводника осколками ядер, образующимися при γ-облучении расщепляющихся материалов. // Новые Технологии. – 2005. – № 1-2 (7-8). – С. 11-16.

Jha, A. R. Solar cell technology and applications. – Taylor and Francis Group, LLC., 2010. – 280p.

Street, R. A. Cambridge Solid State Science Series: Hydrogenated amorphous silicon. – Cambridge University Press, 1991. – 417p.

Pashchenko, A.G. & Sologub, O.Yu. Definition of electronic states densities functions in amorphous sili-con // Telecommunications and Radio Engineering. – 73 (5):447-455 (2014).

Diehl, F., Scheib, M., Schroder, B., Oechsner, H. Enhanced optical absorption in hydrogenated microcrystalline silicon: an absorp-tion model // J. Non-Cryst. Solids. – 1998. – V. 227-230. – P. 973-976.

Сологуб, О.Ю. Определение спектра поглощения аморфного кремния // Сб. материалов ХХІІІ-й Междунар. Крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2013), 8 – 13 сентября 2013 р.

Севастьянов, М.Г., Лобков, В.С., Шмелев, А.Г. и др. Изучение электронных свойств пленок гидроге-низированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т.47, вып. 10.

Карась, Н.И. Положительная и отрицательная фотопро-водимость в макропористом кремнии // Тез. доп. VI Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН), Чернівці, 30 вересня – 4 жовтня 2013 р. – С. 276-277.

Зуев, В.О., Саченко, А.В. Теоре-тичне дослідження поверхнево-чутливих фотоефектів у Si // УФЖ. – 1973. – 18, №10. – С. 1680-1687.

Downloads

Published

2017-10-16

How to Cite

Babychenko, O., & Pashchenko, A. (2017). Kinetics of photoconductivity of c-Si with amorphous heterogeneities. Radiotekhnika, 3(190), 36–43. https://doi.org/10.30837/rt.2017.3.190.05

Issue

No. 190 (2017): Radiotekhnika

Section

Articles

License

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.

2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.

3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).