Применение СВЧ техники для исследования высокоомных слоев аморфного селена - Гордиенко, Ю.Е. (Radiotekhnika)
Описана методика измерения удельной концентрации кристаллических включений в аморфных слоях и приведены результаты сопоставления фотоэлектрических характеристик слоев аморфного Sе с фотоэлектрическими характеристиками присутствующих в них включений гексагонального Sе. Удельная концентрация кристаллических включений в слоях аморфного Sе определяется по изменению tqδэфф слоевна частоте 1010 гц. Фотоэлектрические характеристики присутствующих в них кристаллических включений исследуется с помощью СВЧ техники. Полученные данные свидетельствуют о том, что с применением техники СВЧ можно получить некоторые дополнительные сведения о механизме темновой и фотопроводимостей в аморфных слоях.