Ионная имплантация как метод получения полупроводниковых конденсаторов с заданными вольт-фарадными характеристиками - Гнап, А.К.; Дущенко, В.К.; Дубровин, Ю.В. (Radiotekhnika)
Показана возможность получения конденсаторов на основе p-n-перехода, емкость которых зависит от приложенных напряжений. С помощью теории Линхарда-Шарфа-Шиотта рассчитаны распределения примеси по глубине легированного слоя. Рассмотрено влияние явления каналирования на свойство получаемых слоев, возможности получения транзисторных и многослойных структур методом ионного легирования. Показаны наиболее рациональные пути управления распределением примеси.